Новая микроволновая диэлектрическая керамика BaMg2V2O8 со сверхмалыми потерями тетрагональной структуры была успешно изготовлена традиционным твердотельным методом. Рентгеновская дифракция и автоэмиссионная сканирующая электронная микроскопия были выполнены для изучения фазового кристалла, морфологии зерен и поведения при уплотнении. Результаты показали, что чистая и плотная керамика BaMg2V2O8 с диэлектрической проницаемостью r = 12, добротностью Q × f = 156 140 ГГц (9,9 ГГц) и температурным коэффициентом резонансной частоты f = −36 ppm/°C может быть получена при относительно низком температура спекания 900 ◦С. Более того, керамика 0,87BaMg2V2O8–0,13TiO2, спеченная при 900 ◦C в течение 4 ч, продемонстрировала близкое к нулю значение f, равное −4 ppm/◦C, значение r, равное 13, и значение Q × f, равное 97 334 ГГц (9,6 ГГц), что свидетельствует о больших прикладные потенциалы.  1. Введение  В последние десятилетия произошли революционные изменения в системе мобильной связи, которые постоянно увеличивали спрос на новые высокопроизводительные микроволновые устройства [1]. Соответственно диэлектрические материалы с низкой диэлектрической проницаемостью (r), высокой добротностью (Q × f) и близким к нулю температурным коэффициентом резонансной частоты (f) привлекают большое внимание в СВЧ-цепях, подложках и пассивных компонентах [2,3]. В частности, технология низкотемпературной сообожженной керамики (LTCC) широко применялась для изготовления миниатюрных и интегрированных микроволновых устройств, что сделало чрезвычайно важной разработку потенциальных кандидатов с температурами спекания ниже температуры плавления Ag (961 ◦C). К настоящему времени разработано множество низкотемпературных микроволновых керамических материалов с желаемыми свойствами, однако большинство из них было исключено из практического применения в устройствах на основе НТЦК из-за их высоких температур уплотнения и нежелательных значений f [4–8]. В последнее время в этом контексте широко изучались некоторые соединения на основе Li2O, TeO2, Bi2O3 и MoO3 с более низкими температурами спекания [9–13]. Ванадатные соединения с превосходными микроволновыми диэлектрическими свойствами также были разработаны в качестве низкотемпературной керамики, и некоторые из них оказались химически совместимыми с Ag-электродом [14–17].  BaMg2V2O8 был назван примесной фазой в результате химических реакций между двумя фазами в композитной керамике Mg3(VO4)2–xBa3(VO4)2 (x = 0–1) [18], в которой наблюдается необычно повышенное Q × f значение при x = 0,2 казалось неясным. Было предложено ожидать превосходных микроволновых диэлектрических свойств чистофазного соединения BaMg2V2O8. Будучи изотипным BaCo2V2O8, BaMg2V2O8 принадлежит к широкой группе так называемых квазиодномерных (Q1D) антиферромагнетиков [19]. Все магнитные ионы Mg2+ эквивалентны массивам октаэдров MgO6 с общими ребрами, образующих винтовые цепочки вдоль оси c, как схематично показано на рис. 1 [20]. Винтовые цепочки разделены немагнитными тетраэдрами VO4 (V5+) и ионами Ba2+. Цель настоящей работы заключалась в изготовлении чистофазной керамики BaMg2V2O8 с использованием обычного твердотельного керамического способа. Фазовый кристалл, поведение при спекании, микроструктура и особенно микроволновые диэлектрические свойства были подробно исследованы впервые. ………………  4. Выводы В этом исследовании новая низкотемпературная микроволновая диэлектрическая керамика BaMg2V2O8 с тетрагональной структурой была успешно приготовлена стандартным методом твердофазной реакции. Чистофазное соединение с однородной и плотной микроструктурой показало r, равное 12, сверхвысокую Q × f, равную 156 140 ГГц (9,9 ГГц), и af, равную -36 ppm/°C, после спекания при 900°C в течение 4 часов. Рутил TiO2 был введен для адаптации его отрицательного значения f. Образец 0,87BaMg2V2O8–0,13TiO2, спеченный при 900 ◦C в течение 4 часов, продемонстрировал превосходные диэлектрические свойства r = 13, Q × f = 97,334 ГГц (9,6 ГГц) и f = −4 ppm/◦C.